邓海博士，国家千人特聘专家，复旦大学高分子科学系，聚合物分子工程国家重点实验室，教授，博士生导师，曾任美国陶氏化学公司(前身：罗门哈斯公司)高级研究员(1998-2001)、美国英特尔公司高级主管(2001-2014)，东京应用化学公司Fellow(2014-2015)。邓海教授拥有丰富的半导体产线和光刻材料的研发经验，并且与国内外半导体厂商关系密切。 主攻10 nm以下半导体光刻材料的设计合成及应用。课题组受到科技部02专项和上海市科委的大力支持，拥有完善的光刻材料的合成，表征及性能测试平台。课题组主页： 半导体制造中最关键的材料是光刻胶，杨得志炮轰南阳有多高分辨率的光刻胶就能造出多小的器件。过去的50年内，半导体产业一直沿着Moores law前行。自 2003 年起，半导体产业进入 193 nm 光刻时代，这是国际上最成熟最先进的光刻技术，并将会一直沿用到 10 nm 的光刻工艺。现在，Intel已经实现了10 nm制程的量产。2018年，Intel、台积电和三星微电子都已进入了7 nm分辨率的EUV光刻工艺，并将很快进行量产。面对半导体芯片领域向更小、更快和更高密度方向发展的趋势，下一代 10~5 nm 半导体制程的光刻技术和材料已成为半导体行业的研发热点。 目前国内以中芯国际为代表的半导体工艺研发也进入了14 nm制程，但是国内的光刻材料与全球先进水平相比仍有着极大的差距：国内只能量产低端的i-线年前的产品)，国内的光刻胶产业几乎处于空白状态，10 nm以下所需的EUVL和DSA光刻材料，目前被美国和日本企业所垄断。为了不再受制于人，我国急需研发探索10纳米以下的下一代光刻材料来打破了技术壁垒，实现弯道超车。上海市和市现已立项研发10 nm以下分辨率的DSA材料。目前本组已研发出世界上最快速自组装的、5 nm超高分辨率的DSA材料，该已发表在SPIE(美国光电协会)等国际会议上，目前已申请了若干中国及美国专利。 由于科研工作需要，本课题组招聘博士后研究员1～2名，进行10纳米以下的下一代光刻材料的研究，具体要求如下：. 1、具有高分子专业(合成)背景、有机全合成背景或有高分子合成研究工作经验的博士(应届的或者有工作经验的)。 3、需要具有一定的指导学生的能力。将会带领在读的硕士、博士生进行项目攻关，身体力行地带领团队研发出新型的高分辨率DSA或含金属EUV光刻材料。 课题组为入选者提供优越的科研条件和稳定的支持，按照复旦大学有关博士后的提供相应个人待遇，课题组根据研究进展和贡献给予补贴，年薪18万起。住房：复旦大学根据申请者要求，提供学校附近一室或二室住房，租金约为市场价格一半。
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