飞兆半导体公司通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。 通过将MOSFET和二极管集成到一个封装内,FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电板空间,简化了装配,降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。 该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺专用于最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能。NP二极管为超快速整流器,带低正向导通压降,具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比,其泄漏电流更低,改进了高温应用中的系统可靠性。 主要功能: FDD1600N10ALZD: ·RDS(ON)=124mΩ(典型值)@VGS=10V,ID=3.4A·RDS(ON)=175mΩ(典型值)@VGS=5V,ID=2.1A ·低栅极电荷=2.78nC(典型值) ·低反向电容(Crss)=2.04pF(典型值)FDD850N10LD: ·RDS(ON)=61mΩ(典型值)@VGS=10V,ID=12A ·RDS(ON)=64mΩ(典型值)@VGS=5.0V,ID=12A ·低栅极电荷=22.2nC(典型值) ·低反向电容(Crss)=42pF(典型值) 都有: ·快速开关 ·100%经过雪崩测试 ·可提高dv/dt处理能力 ·符合RoHS标准 |