今天推出的VishaySemiconductorsVOWWidebody光耦由一个GaAIAs红外发光二极管组成,二极管与集成的光探测器形成光学耦合。高安全隔离电压提高了产品的耐用度,除此以外,这些器件内部采用了Faraday屏蔽,在输入和输出之间具有高功率开关应用所必需的非常高的噪声隔离能力。 VOW135和VOW136可抵御1000V/s的共模瞬态,1MBd数据速率下高电平和低电平延迟小于2s。VOW137和VOW2611的数据速率为10MBd,可抵御40000V/s的共模瞬态,同时将高电平和低电平延迟保持在100ns以下,高脉冲宽度畸变小于40ns。 延伸内容: |